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공학,기술계열 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) 반도체공학 실험 - Annealing.docx 등록인 leewk2547 등록/수정일 15.03.16 / 15.03.16 문서분량 3 페이지 다운로드 0 구매평가 판매가격 2,000원

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보고서설명
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃, 800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지 알아본다.

본문일부/목차
나. 실험 준비물 RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces 다. 실험 과정 1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.(증착된 두께는 모두 같아야 한다.) 2) Wafer를 급속 열처리 장치(RTP)를 이용하여 600℃ , 700℃, 800℃의 온도에서 40초간 열처리한다. 3) 어닐링을 마친 3개의 시편을 Four Point Probe를 이용하여 면저항을 측정한다. 3. 결과 및 고찰 실험 결과는 예비 레포트를 쓸 때 예상한 결과와 비슷한 경향을 보였다. 먼저, 600℃와 700℃에서는 저항 값이 184.73과 195.27로 측정되었고, 800℃에서는 573.47로 측정되었다. Ni-Silicide는 annealing time에 따라 결합 형태를 달리해서 저항이 달라지는데, 400~700℃에서는 Ni-Si의 결합을 한다. 온도가 더 올라 700℃이상에서는 Ni-Si2의 결합을 하게 된다. 600℃에서 한 실험과 700℃에서 한 실험은 실험 편차가 크지 않게 비슷한 값들이 나왔지만, 800℃에서 한 실험은 처음 측정한 값과 나머지 두 번 측정한 값의 차이가 비교적 컸다. 이는 Silicidation과정 이전의 문제로 보인다. 만약 Si wafer가 클리닝이 제대로 되지 않았다면 이물질이 껴서 저항 값이 다르게 측정되었을 수도 있다. 또 증착된 Ni의 두께가 균일하지 않을 가능성도 있다. 이 경우에도 저항을 측정하는 위치에 따라 결과가 다르게 나올 수 있다.

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