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  • 반도체 공학 - 트랜지스터, MOSFET에 관해

  • 반도체 공학 - 트랜지스터, MOSF.hwp
  • 등록인 leewk2547
  • 등록/수정일 14.09.24 / 14.09.24
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보고서설명
.트랜지스터의 원리
트랜지스터는 다이오드의 원리를 이용하여 신호를 증폭하기 위한 용도로 만들어졌으며, 트랜지스터의 발명은 전자회로에 있어 일대 혁명을 가져오게 되었다. 스위치를 켜면 한참을 기다려야 정상적인 음이 나오던 옛날의 진공관식 거대한 라디오나 에니악과 같이 트럭 크기의 컴퓨터를 들고 다닐 수 있게 만든 트랜지스터의 정체는 과연 무엇인가?
트랜지스터를 알기 위해서는 전기의 흐름에 대하여 이해를 하여야 할 필요가 있다. 물을 비롯한 모든 자연 물질은 높은 곳에서 낮은 곳으로 흐른다. 우주선이 땅에서 하늘로 치솟기 위해서는 엔진의 힘을 이용하여 지구가 당기는 힘보다 더 큰 힘을 반대로 가해주어야 가능하다.
본문일부/목차
이미터와 베이스간의 전류의 흐름은 매우 작으나 이들의 전류를 증감할 수 있다면 이미터와 컬렉터간의 전류가 같이 증감하게 된다. 왜냐하면 전류를 생성시키는 원천은 이미터의 전자 또는 정공이며 제한된 수량이므로, 많은 양의 전기소자가 베이스로 흐른다면 그만큼 컬렉터로 흐르는 전기 소자가 줄어들기 때문이다. 베이스와 컬렉터 간에 흐르는 전류를 누설전류(Leakage Current)라고 하는데
이 전류는 베이스를 형성하는 전기 소자의 성분(PNP는 정공, NPN은 전자)에 의하며 회로에서는 ICBO 또는 ICO라고 표현한다. 누설 전류는 게르마늄 물질인 경우에 수 마이크로(μ : 백만분의 1) Ampere이며, 실리콘인 경우에는 수 나노(10억분의 1) Ampere로 온도가 올라갈수록 누설 전류도 증가한다. 컬렉터와 베이스간의 누설 전류는 트랜지스터의 동작에 중요한 영향을 미친다. 트랜지스터는 온도에 매우 민감한 소자이기 때문에 누설전류가 증가하면 열이 발생하고 그리고 그 열은 단자로 전달되게 된다. 이 현상을 “RUNAWAY" 라고 하는데, 이러한 현상이 없으면 트랜지스터는 열로 인하여 파손이 되어 버린다. 그래서 열을 없애기 위하여 Negative Feed-back이라는 방법을 이용하는데 회로에서 널리 사용되는 방식이다. 실리콘 소재의 트랜지스터는 게르마늄보다 온도 특성이 좋기 때문에 널리 사용되고 있다.
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