해피레포트 - [실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명] 실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명

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기타 [실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명] 실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명 실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명.hwp 등록인 mario 등록/수정일 10.01.28 / 10.01.28 문서분량 1 페이지 다운로드 0 구매평가 판매가격 2,000원

보고서설명
실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명 광주과학기술원(GIST)은 실리콘 표면에 존재하는 원자계단들이 고온에서 자발적으로 모여 1차원 구조를 형성해가는 동력학적 과정을 실시간으로 관찰하고 이를 설명하는 새로운 물리적 모델을 수립했다고 4일 밝혔다. 이 연구 결과는 최근 물리학분야 국제학술지 `피지컬 리뷰 레터스(PRL)`에 실렸다. 실리콘 표면은 고온 상태에서 0.3㎚(㎚=10억분의 1㎚) 높이의 원자계단이 6㎚ 간격으로 균일하게 분포된 구조로 돼 있다. 여기서 온도를 800℃ 이하 정도로 낮추면 원자계단들이 자발적으로 모이면서 뾰족뾰족한 산과 골 형태의 선이 만들어진다. 팀은 온도를 낮출 때 시간에 따라 원자계단들이 점차 모이면서 주기적인 나노선을 만들어가는 과정을 방사광 X-선 회절기법을 이용해 실시간으로 관측, 초고진공의 고온 상태에서 원자계단들의 움직임을 직접 측정하는 데 성공했다.

본문일부/목차
실리콘 표면 나노선구조 형성과정 규명 광주과학기술원(GIST)은 실리콘 표면에 존재하는 원자계단들이 고온에서 자발적으로 모여 1차원 구조를 형성해가는 동력학적 과정을 실시간으로 관찰하고 이를 설명하는 새로운 물리적 모델을 수립했다고 4일 밝혔다. 이 연구 결과는 최근 물리학분야 국제학술지 `피지컬 리뷰 레터스(PRL)`에 실렸다. 실리콘 표면은 고온 상태에서 0.3㎚(㎚=10억분의 1㎚) 높이의 원자계단이 6㎚ 간격으로 균일하게 분포된 구조로 돼 있다. 여기서 온도를 800℃ 이하 정도로 낮추면 원자계단들이 자발적으로 모이면서 뾰족뾰족한 산과 골 형태의 선이 만들어진다. 팀은 온도를 낮출 때 시간에 따라 원자계단들이 점차 모이면서 주기적인 나노선을 만들어가는 과정을 방사광 X-선 회절기법을 이용해 실시간으로 관측, 초고진공의 고온 상태에서 원자계단들의 움직임을 직접 측정하는 데 성공했다.

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