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[방사선응용] ★ Diode I-V 특성곡선, 표준 셀의 V-T 특성측정, 표준 셀의 응답속도 측정 ★
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방사선 리포트 반도체 전기적 측정방법.hwp
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등록인 sjgforever
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등록/수정일 10.01.09 / 10.01.09
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- -목차-
1. Diode I-V 특성곡선
2. 표준 셀의 V-T 특성측정, 표준 셀의 응답속도 측정
3. 실험방법
4. 참고문헌
-본문일부-
Diode I-V 특성곡선
표준 셀의 V-T 특성측정, 표준 셀의 응답속도 측정
1. Diode I-V 특성곡선
다이오드의 전류-전압특성은 그 양단에 전압을 인가하였을 때 그 다이오드에 전류가 얼
마나 흐르는 가를 나타내는 그래프이다.
이론
전압을 약간씩 높여 가면서 다이오드에 흐르는 전류를 측정.
그 측정값을 전류 대 전압으로 그린것.
인가 전압이 낮을 때 다이오드에 매우 적은 전류가 흐르게 됨.
0.7V나 약간 높은 순방향전압에서 다이오드는 도통, 전류가 흐르기 시작.
0.7V 이상에서는 순방향전압이 약간 증가해도 다이오드에 흐르는 전류는 급격히 증가.
실리콘 다이오드의 전형적인 순방향 전류-전압 특성이다. 도통 순방향
바이어스전압은 일반적으로 실리콘은 약 0.7V이고 게르마늄은 약 0.3V이다.
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