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  • 삼성, D램 가격 소폭 인상 추진

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  • 등록/수정일 08.04.01 / 08.04.01
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삼성, D램 가격 소폭 인상 추진
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삼성전자가 D램 고정가격의 소폭 인상을 추진한다. 하이닉스반도체는 이달 중 고정거래처와 가격협상을 통해 공급가격을 결정하는 한편, 시황이 좋지 않은 낸드플래시메모리 생산량도 대폭 감축하기로 했다.
주우식 삼성전자 부사장(IR팀장)은 1일 로이터 등 외신들과 인터뷰에서 “4월 D램 가격의 소폭 인상을 검토하고 있다”고 말했다.
주 부사장은 다만 고정거래처들이 있는 만큼 일방적으로 조정하는 것은 아니며 협의를 통해 결정할 것이라고 덧붙였다.
하이닉스는 3분기에 청주에 있는 M9라인(200㎜ 팹)을 닫고 당초 낸드플래시 전용 라인으로 활용하기 위한 M11라인(300㎜ 팹)도 일부 D램을 병행 생산하는 등 사실상 낸드플래시 감산에 들어갔다.
하이닉스는 낸드플래시를 생산해 온 청주의 M9 라인을 3분기에 페쇄하고 2분기부터 청주에 완공한 M11라인에서 48나노 공정으로 생산할 예정이었으나 가격 폭락이 이어지자 M11라인의 양산시기를 3분기로 늦추고 생산량도 줄이기로 했다.
하이닉스가 낸드플래시 생산을 축소하는 규모는 세계 생산량의 5%에 육박한다.
주문정기자@전자신문, mjjoo@
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