해피레포트 - [전자기론] 트랜지스터의 구조와 동작

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공학,기술계열 [전자기론] 트랜지스터의 구조와 동작 [전자기론] 트랜지스터의 구조와 동작.hwp 등록인 leodica7 등록/수정일 07.05.17 / 07.05.17 문서분량 4 페이지 다운로드 3 구매평가 판매가격 500원

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[전자기론] 트랜지스터의 구조와 동작 가). NPN, PNP접합 먼저 구조는 NPN인 경우 두 개의 N형 반도체 사이에 아주 얇은 P형 반도체를 끼운 샌드위치 구제이며 NPN접합으로 이 N과 P와 N의 세부분은 하나의 단결정에 제작된 것이다. 이세개의 전극을 에미터(Emmiter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)라고 하고 기호로 E, B, C로 나타낸다. 그림 5는 NPN접합을 에너지 그림으로 표시한 것인데 외부 전압을 걸지앖는 상태(평행 상태)에서는 각각의 페르미 준위는 일치 하고 있다. 실제 트랜지스터 작용을 하는 반도체 부분은 패키지 중에 있는 칩이라는 것으로 하는 작은 것 0.5에서 7(파워 트랜지스터) 크기의 칩속에 NPN, PNP트랜지스터가 있다. 나). 에미터 작용(베이스에 소수 캐리어를 주입하는 전극) NPN접합에서 에미터는 N형 자유전자를 억수로 많이 가지고 베이스는 P형으로 전공의 양은 에미터의 자유 전자량보다 훨씬 적어야 한다. 또한 베이스 뚜께(베이스 폭 : Wb)는 아주 얇아야 한다. 에미터와 베이스간 PN접합이 순방향이 되도록 전압을 걸면 이때 약간의 에미터 베이스간 전압 로 큰 전류 가 흐를 것이다.

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