해피레포트 - [전자기론] 트랜지스터(transistor)작동 실험

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공학,기술계열 [전자기론] 트랜지스터(transistor)작동 실험 [전자기론] 트랜지스터(transistor)작동 실험.hwp 등록인 leodica7 등록/수정일 07.05.17 / 07.05.17 문서분량 11 페이지 다운로드 0 구매평가 판매가격 1,000원

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[전자기론] 트랜지스터(transistor)작동 실험 ◆실험 목적 실험적으로 트랜지스터의 작동 특성을 조사하는 것이다. ◆실험이론 *트랜지스터 : 반도체의 PN접합을 이용해 증폭 작용을 하도록 만든 능동 소자를 트랜지스터 (Transistor)라 한다. 그림. (a)NPN형그림. (b)PNP형 [트랜지스터의 구조 및 기호] a.베이스 : 트랜지스터에 있어서 이미터로부터 주입된 캐리어(전자 또는 정공)의 이동을 제어하기 위한 전류를 공급하는 부분을 말하며, 구조상 중앙의 좁은 부분이 베이스이다. b.이미터 : 트랜지스터에 있어서 캐리어(전자 또는 정공)를 주입시키는 부분으로 베이스와의 사이에 순방향 전압이 가해진다. c.콜렉터 : 트랜지스터에 있어서 캐리어(전자 또는 정공)를 모으는 부분으로 베이스와의 사이에 역방향 전압이 가해진다. 트랜지스터의 동작 상태는 이미터와 베이스(E-B), 콜렉터와 베이스(C-B) 사이의 바이어스(bias)에 따라 다음과 같은 4가지 동작 상태로 나뉘어진다.

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[전자기론] 트랜지스터(transistor)작동 실험