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  • 전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조

  • 전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및.hwp
  • 등록인 leewk2547
  • 등록/수정일 15.03.17 / 15.03.17
  • 문서분량 8 페이지
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보고서설명
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
측정한다.

실험 소요장비

계측기 - DMM

부품 - 저항 - 다이오드
1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge

-전원 (직류전원)

실험 순서
본문일부/목차
b) 순서 1에서 측정한 Si 다이오드의 문턱 전압과 R의 측정값을 이용하여 VO와 ID의 이론적인 값을 계산하라.
VD에 대해서는 VT 값을 기입하라.

VD = VT = 0.573V
VO(계산값)　＝ 5V - 0.573V = 4.427V
ID(계산값) = ID = VO / R = 4.427 / 2.168K = 0.002 A

c) DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값 으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라.

VD (측정값) = 0.623mV
VO (측정값) = 4.444V
ID (측정값으로부터) = VO/R = 0.002A

d. 다음과 같은 회로를 구성하라. 저항값들을 측정하고 기록하라.


e. 순서1에서 측정한 VD와 VO 그리고 측정값 R1, R2를 이용하여 VO와 ID의 이론적인 값을 계산하라.
VD에 대해서는 VT 값을 기입하라.

VD = 0.573V
VO (계산값) = 1.383V
ID (계산값) = 0.0013A

f. DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(e)의 결과와 비교하라.

VD (측정값) = 0.603 mV
VO (측정값) = 1.407V
ID (측정값으로부터) = VO/R2 = 0.0014A
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