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실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.

*실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.

실험 순서

1.다이오드 검사
본문일부/목차
c. 다이오드 전류가 증가하여 특성곡선의 수직 상승영역으로 올라감에 따라서 (Si과 Ge에 대한)
저항은 어떻게 변하는가?

급격히 줄어들어 점점 0에 수렴한다고 볼 수 있다.

5. AC 저항

a. Si 다이오드에 대해서 식(2.2) rd = ∆V/∆I 와 앞선 그래프의 곡선을 이용하여 ID = 9mA에서 AC 저항을 과정을 보이며 계산하라.
rd (계산값) = I 는 8.08mA > 9.09 mA 일 때 V 는 0.005V 증가. 따라서 ∆V/∆I = 5Ω

b. Si 다이오드에 대해서 식 rd = 26mV/ID(mA)을 이용하여 ID = 9mA에서 과정을 보이며 AC 저항을 계산하라.

rd (계산값) = 2.88 Ω

5(a) 와 5(b)의 결과를 비교하라.

2Ω 정도의 오차가 있지만 워낙 미세한 값이기 때문에 허용 할 수 있다고 봅니다.

c. Si 다이오드에 대해서 ID = 2mA 일 때 5(a)를 반복하라.

rd (계산값) = I 는 1.01mA -> 2.02 mA 일때 V 는 0.032V 증가. 따라서 ∆V/∆I = 32Ω

d. Si 다이오드에 대해서 식 rd = 2(26mV/ID(mA))를 이용하여 ID = 2mA에서 과정을 보이며
AC저항을 계산하라.
rd (계산값) = 2*(26/2) = 32 Ω

5(c)와 5(d)의 결과를 비교하라.

정확하게 일치합니다.
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