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HEMT - High Electron Mobility Transistor...
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HEMT - High Electron Mobility Transistor - 목 차 ƒ. 서론 ⑴ HEMT의 의미와 특징 ⑵ HEMT의 역사 „. 본론 ⑴ HEMT 제작과정 ⑵ HEMT와 다른 device의 비교 ⑶ Devices of HEMTƒ) 통신용 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT„) 고저로 도핑한 오믹층을 갖는 전력 PHEMT소자…) Metamorphic HEMT를 이용한 100 GHz MIMIC 증폭기 ⑷ HEMT research of prof. Jihyun Kimƒ) Characterization of AlGaN GaN HEMT irradiated at 5keV and 25MeV proton energies„) AlGaN GaN HEMT irradiated with 17MeV proton…) Improced Long-Term Thermal Stability At 350℃ of -Based Ohmic Contacts On AlGaN GaN HEMT …. 결론 - HEMT 기술동향ƒ. 서론 ⑴ HEMT의 의미와 특징1) InP 기반-HEMT Metamorphic-HEMT Pseudomorphic-HEMT HEMT란 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transister)를 의미한다. 이 소자는 변조 도핑 전계 효과 트랜지스터(MODRET)또는 이중 접합 전계 효과 트랜지스터(HRET heterojunction field effect-transister)라고도 부른다. 이들은 게이트 산화막이 소자의 나머지 부분보다 더 큰 밴드갭을 갖는 반도체로 대체된 것을 제외하고는 MOSFET와 동일한 구조를 가지고 있다. 이는 더 빠른 고속화와 보다 높은 주파수의 밀리파를 처리할 수 있고, 보통의 MOSFET에 비해 저전압, 고속 동작이 가능 소비전력이 낮으며 초고속 LSI를 실현할 수 있는 소자로서 잡음이 적다. 현재...
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