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    • 공학,기술계열
    • 2014/06/19 leewk2547 8 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로...
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 8 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 자료입니다. 참고하시면 좋을 것 같습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2013/03/08 rosebudp 8 페이지 1,500원 다운 0회 구매평가 
    • 목적 : 에칭 시간이 다결정 웨이퍼에 미치는 영향을 조직 관찰을 통해 알아본다. 실험 보고서 양식을 모두 만족하는 레포트입니다. ☆★ 관찰 사진과 실험 과정 사진이 다수 첨부되어있습니다. ★☆
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/17 leewk2547 11 페이지 2,000원 다운 2회 구매평가 
    • 단결정 성장 규소봉 절단 Wafer 표면 연마 회로 설계 Mask 제작 산화공정 감광액 도포 노광공정 현상공정 식각공정 이온주입공정 화학기상 증착 금속배선 Wafer 자동선별 Wafer 절단 칩 집착 금속연결 성 형
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 3회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 4 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다....
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 7 페이지 1,800원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 5 페이지 1,400원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 4 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 6 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography’ 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을...
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