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    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 3회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/17 leewk2547 11 페이지 2,000원 다운 2회 구매평가 
    • 단결정 성장 규소봉 절단 Wafer 표면 연마 회로 설계 Mask 제작 산화공정 감광액 도포 노광공정 현상공정 식각공정 이온주입공정 화학기상 증착 금속배선 Wafer 자동선별 Wafer 절단 칩 집착 금속연결 성 형
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 4 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라 제품의...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 6 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을 3min, 5min, 7min으로 변화를...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 4 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다....
    • 공학,기술계열
    • 2012/11/22 css7161 10 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 반도체 산업에서 많이 사용하는 용어를 모은 자료입니다. 기본적으로 반도체산업에서 근무전에 현장에서 많이 사용하는 용어를 습득하면 업무적응면에서 매우 쉬울것 입니다
    • 공학,기술계열
    • 2012/08/10 leewk2547 6 페이지 1,600원 다운 2회 구매평가 
    • 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말합니다. 실리콘은 일반적으로 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재하며 이들은...
    • 공학,기술계열
    • 2012/08/10 leewk2547 4 페이지 1,600원 다운 0회 구매평가 
    • 스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. 스퍼터링(sputtering)은 높은에너지(> 30 eV)를 가진 입자들이 target에...
    • 공학,기술계열
    • 2012/06/13 leewk2547 6 페이지 1,500원 다운 0회 구매평가 
    • IC Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
    • 자연과학계열
    • 2012/06/01 leewk2547 4 페이지 1,500원 다운 1회 구매평가 
    • IC Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
    • 공학,기술계열
    • 2010/01/12 cheonhoo 7 페이지 1,500원 다운 1회 구매평가 
    • XRD의 원리와 구성에 대한 레포트 [참고자료] -나노소재기기 수업자료 (최봉근 교수님) -William D. Callister, Jr., Materials Science and Engineering an Introduction 6/e, John Wiley & Sons, Inc., 2003...
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