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레포트 > 공학,기술계열 정확도순 최신등록순 다운높은순 분량많은순 낮은가격순 높은가격순
    • 공학,기술계열
    • 2012/05/17 leewk2547 19 페이지 2,500원 다운 1회 구매평가 
    • MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
    • 공학,기술계열
    • 2014/09/24 leewk2547 11 페이지 2,000원 다운 2회 구매평가 
    • MOS 전계 효과 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 특성을 측정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 4 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착 두께를 10nm,...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 3회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 6 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography’ 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 4 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • & Oxidation 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께...
    • 공학,기술계열
    • 2013/07/15 leewk2547 9 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것으로, 소비 전력은 μW 정도이고 동작은 고속, 잡음 배제성이 좋다. 전원 전압의 넓은 범위에서...
    • 공학,기술계열
    • 2012/06/13 leewk2547 6 페이지 1,500원 다운 0회 구매평가 
    • 1. 실험목적 실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다. 2. 실험이론 1) Hall IC Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은...
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