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    • 공학,기술계열
    • 2013/12/27 leewk2547 15 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 실험 목표 소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다. DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다. 2. 실험 결과 2.1. Si...
    • 공학,기술계열
    • 2016/09/21 lbj7844 7 페이지 500원 다운 0회 구매평가 
    • 반도체 다이오드 ◈ 실험 목적 : 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다. 3. 다이오드 순방향 특성곡선 ① 그림 1-12와 같이 회로를 결선하여라. 다이오드 양단 전압강하가 0.4V, 0.5V, 0.6V, 0.7V가 되는 곳에서...
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 8 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 자료들이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 7 페이지 1,800원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 5 페이지 1,400원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 7 페이지 1,800원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움이 되었으면 좋곘습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2016/06/29 psawon 8 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 자료입니다. 참고하시면 좋을 것 같습니다.
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 4 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/16 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 3회 구매평가 
    • 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라 PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.
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