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    • 공학,기술계열
    • 2016/02/13 leewk2547 9 페이지 2,000원 다운 2회 구매평가 
    • 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고 , 비교하고, 그리고 측정한다. 2. 실험장비 1) 계측기 -DMM 2) 부품 -저항 (1) 1㏀ (2) 1㏁ -다이오드 (1) Si...
    • 공학,기술계열
    • 2012/06/13 leewk2547 3 페이지 1,200원 다운 0회 구매평가 
    • 1. 실험 목적 (1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다. (2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다.
    • 공학,기술계열
    • 2010/03/13 niceato 7 페이지 800원 다운 10회 구매평가 
    • 첨가되지 않은 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)을 말하며, 이는 자유전자와 정공이 존재하지 않은 공유결합 상태로 존재하여 전기전도도가 낮다. 실제의 전자소자는 불순물(B,P등)을 첨가하여 전기전도도를 적당히 조절...
    • 공학,기술계열
    • 2017/04/13 leewk2547 3 페이지 2,000원 다운 0회 구매평가 
    • 1.실험제목 - 다이오드(Diode) 2.실험목표 - Si, Ge, zenor, 발광 다이오드의 특성을 실험을 통해 이해한다. 3.실험재료 - 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기, Si, Ge, zenor, 발광...
    • 공학,기술계열
    • 2016/01/14 hb2577 92 페이지 5,000원 다운 3회 구매평가 
    • 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 디지털 회로 실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전자부품회로설계의 기초에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
    • 자연과학계열
    • 2015/03/18 leewk2547 5 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • 1.실험제목 -기초회로실험 2.실험목적 -저항체의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 이 저항체에 흐르는 전류의 변화를 조사하여, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항 값에 대한 색 코드를 확인하고, 반도체...
    • 공학,기술계열
    • 2015/03/17 leewk2547 5 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • 실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다. *실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다. 실험 순서 1.다이오드 검사
    • 공학,기술계열
    • 2014/09/24 leewk2547 5 페이지 2,000원 다운 1회 구매평가 
    • .트랜지스터의 원리 트랜지스터는 다이오드의 원리를 이용하여 신호를 증폭하기 위한 용도로 만들어졌으며, 트랜지스터의 발명은 전자회로에 있어 일대 혁명을 가져오게 되었다. 스위치를 켜면 한참을 기다려야...
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